Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3518TRPBF
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
Číslo dílu
IRFR3518TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32292 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3518TRPBF
IRFR3518TRPBF Elektronické komponenty
IRFR3518TRPBF Odbyt
IRFR3518TRPBF Dodavatel
IRFR3518TRPBF Distributor
IRFR3518TRPBF Datová tabulka
IRFR3518TRPBF Fotky
IRFR3518TRPBF Cena
IRFR3518TRPBF Nabídka
IRFR3518TRPBF Nejnižší cena
IRFR3518TRPBF Vyhledávání
IRFR3518TRPBF Nákup
IRFR3518TRPBF Chip