Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3505PBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Číslo dílu
IRFR3505PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2030pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37045 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3505PBF
IRFR3505PBF Elektronické komponenty
IRFR3505PBF Odbyt
IRFR3505PBF Dodavatel
IRFR3505PBF Distributor
IRFR3505PBF Datová tabulka
IRFR3505PBF Fotky
IRFR3505PBF Cena
IRFR3505PBF Nabídka
IRFR3505PBF Nejnižší cena
IRFR3505PBF Vyhledávání
IRFR3505PBF Nákup
IRFR3505PBF Chip