Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3418PBF
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
Číslo dílu
IRFR3418PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3510pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29546 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3418PBF
IRFR3418PBF Elektronické komponenty
IRFR3418PBF Odbyt
IRFR3418PBF Dodavatel
IRFR3418PBF Distributor
IRFR3418PBF Datová tabulka
IRFR3418PBF Fotky
IRFR3418PBF Cena
IRFR3418PBF Nabídka
IRFR3418PBF Nejnižší cena
IRFR3418PBF Vyhledávání
IRFR3418PBF Nákup
IRFR3418PBF Chip