Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3412TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Číslo dílu
IRFR3412TRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3430pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8307 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3412TRRPBF
IRFR3412TRRPBF Elektronické komponenty
IRFR3412TRRPBF Odbyt
IRFR3412TRRPBF Dodavatel
IRFR3412TRRPBF Distributor
IRFR3412TRRPBF Datová tabulka
IRFR3412TRRPBF Fotky
IRFR3412TRRPBF Cena
IRFR3412TRRPBF Nabídka
IRFR3412TRRPBF Nejnižší cena
IRFR3412TRRPBF Vyhledávání
IRFR3412TRRPBF Nákup
IRFR3412TRRPBF Chip