Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3412PBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Číslo dílu
IRFR3412PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3430pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45626 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3412PBF
IRFR3412PBF Elektronické komponenty
IRFR3412PBF Odbyt
IRFR3412PBF Dodavatel
IRFR3412PBF Distributor
IRFR3412PBF Datová tabulka
IRFR3412PBF Fotky
IRFR3412PBF Cena
IRFR3412PBF Nabídka
IRFR3412PBF Nejnižší cena
IRFR3412PBF Vyhledávání
IRFR3412PBF Nákup
IRFR3412PBF Chip