Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3411TRPBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Číslo dílu
IRFR3411TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
44 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1960pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40211 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3411TRPBF
IRFR3411TRPBF Elektronické komponenty
IRFR3411TRPBF Odbyt
IRFR3411TRPBF Dodavatel
IRFR3411TRPBF Distributor
IRFR3411TRPBF Datová tabulka
IRFR3411TRPBF Fotky
IRFR3411TRPBF Cena
IRFR3411TRPBF Nabídka
IRFR3411TRPBF Nejnižší cena
IRFR3411TRPBF Vyhledávání
IRFR3411TRPBF Nákup
IRFR3411TRPBF Chip