IRFR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Číslo dílu
IRFR3410TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
39 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18066 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3410TRPBF
IRFR3410TRPBF Elektronické komponenty
IRFR3410TRPBF Odbyt
IRFR3410TRPBF Dodavatel
IRFR3410TRPBF Distributor
IRFR3410TRPBF Datová tabulka
IRFR3410TRPBF Fotky
IRFR3410TRPBF Cena
IRFR3410TRPBF Nabídka
IRFR3410TRPBF Nejnižší cena
IRFR3410TRPBF Vyhledávání
IRFR3410TRPBF Nákup
IRFR3410TRPBF Chip