Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3410PBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Číslo dílu
IRFR3410PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
39 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44341 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3410PBF
IRFR3410PBF Elektronické komponenty
IRFR3410PBF Odbyt
IRFR3410PBF Dodavatel
IRFR3410PBF Distributor
IRFR3410PBF Datová tabulka
IRFR3410PBF Fotky
IRFR3410PBF Cena
IRFR3410PBF Nabídka
IRFR3410PBF Nejnižší cena
IRFR3410PBF Vyhledávání
IRFR3410PBF Nákup
IRFR3410PBF Chip