Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3303CPBF
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Číslo dílu
IRFR3303CPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
31 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50380 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3303CPBF
IRFR3303CPBF Elektronické komponenty
IRFR3303CPBF Odbyt
IRFR3303CPBF Dodavatel
IRFR3303CPBF Distributor
IRFR3303CPBF Datová tabulka
IRFR3303CPBF Fotky
IRFR3303CPBF Cena
IRFR3303CPBF Nabídka
IRFR3303CPBF Nejnižší cena
IRFR3303CPBF Vyhledávání
IRFR3303CPBF Nákup
IRFR3303CPBF Chip