IRFR220NTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Číslo dílu
IRFR220NTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6509 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR220NTRLPBF
IRFR220NTRLPBF Elektronické komponenty
IRFR220NTRLPBF Odbyt
IRFR220NTRLPBF Dodavatel
IRFR220NTRLPBF Distributor
IRFR220NTRLPBF Datová tabulka
IRFR220NTRLPBF Fotky
IRFR220NTRLPBF Cena
IRFR220NTRLPBF Nabídka
IRFR220NTRLPBF Nejnižší cena
IRFR220NTRLPBF Vyhledávání
IRFR220NTRLPBF Nákup
IRFR220NTRLPBF Chip