Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR18N15DTRR
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Číslo dílu
IRFR18N15DTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6812 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR18N15DTRR
IRFR18N15DTRR Elektronické komponenty
IRFR18N15DTRR Odbyt
IRFR18N15DTRR Dodavatel
IRFR18N15DTRR Distributor
IRFR18N15DTRR Datová tabulka
IRFR18N15DTRR Fotky
IRFR18N15DTRR Cena
IRFR18N15DTRR Nabídka
IRFR18N15DTRR Nejnižší cena
IRFR18N15DTRR Vyhledávání
IRFR18N15DTRR Nákup
IRFR18N15DTRR Chip