Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR18N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Číslo dílu
IRFR18N15DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29871 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR18N15DPBF
IRFR18N15DPBF Elektronické komponenty
IRFR18N15DPBF Odbyt
IRFR18N15DPBF Dodavatel
IRFR18N15DPBF Distributor
IRFR18N15DPBF Datová tabulka
IRFR18N15DPBF Fotky
IRFR18N15DPBF Cena
IRFR18N15DPBF Nabídka
IRFR18N15DPBF Nejnižší cena
IRFR18N15DPBF Vyhledávání
IRFR18N15DPBF Nákup
IRFR18N15DPBF Chip