IRFR13N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Číslo dílu
IRFR13N20DTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
235 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19232 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR13N20DTRPBF
IRFR13N20DTRPBF Elektronické komponenty
IRFR13N20DTRPBF Odbyt
IRFR13N20DTRPBF Dodavatel
IRFR13N20DTRPBF Distributor
IRFR13N20DTRPBF Datová tabulka
IRFR13N20DTRPBF Fotky
IRFR13N20DTRPBF Cena
IRFR13N20DTRPBF Nabídka
IRFR13N20DTRPBF Nejnižší cena
IRFR13N20DTRPBF Vyhledávání
IRFR13N20DTRPBF Nákup
IRFR13N20DTRPBF Chip