Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR12N25DTRPBF
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Číslo dílu
IRFR12N25DTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
144W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
260 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28494 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR12N25DTRPBF
IRFR12N25DTRPBF Elektronické komponenty
IRFR12N25DTRPBF Odbyt
IRFR12N25DTRPBF Dodavatel
IRFR12N25DTRPBF Distributor
IRFR12N25DTRPBF Datová tabulka
IRFR12N25DTRPBF Fotky
IRFR12N25DTRPBF Cena
IRFR12N25DTRPBF Nabídka
IRFR12N25DTRPBF Nejnižší cena
IRFR12N25DTRPBF Vyhledávání
IRFR12N25DTRPBF Nákup
IRFR12N25DTRPBF Chip