Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR12N25D
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Číslo dílu
IRFR12N25D
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
144W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
260 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46156 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR12N25D
IRFR12N25D Elektronické komponenty
IRFR12N25D Odbyt
IRFR12N25D Dodavatel
IRFR12N25D Distributor
IRFR12N25D Datová tabulka
IRFR12N25D Fotky
IRFR12N25D Cena
IRFR12N25D Nabídka
IRFR12N25D Nejnižší cena
IRFR12N25D Vyhledávání
IRFR12N25D Nákup
IRFR12N25D Chip