IRFR120ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Číslo dílu
IRFR120ZTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27751 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR120ZTRPBF
IRFR120ZTRPBF Elektronické komponenty
IRFR120ZTRPBF Odbyt
IRFR120ZTRPBF Dodavatel
IRFR120ZTRPBF Distributor
IRFR120ZTRPBF Datová tabulka
IRFR120ZTRPBF Fotky
IRFR120ZTRPBF Cena
IRFR120ZTRPBF Nabídka
IRFR120ZTRPBF Nejnižší cena
IRFR120ZTRPBF Vyhledávání
IRFR120ZTRPBF Nákup
IRFR120ZTRPBF Chip