Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR120ZTR
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Číslo dílu
IRFR120ZTR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42937 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR120ZTR
IRFR120ZTR Elektronické komponenty
IRFR120ZTR Odbyt
IRFR120ZTR Dodavatel
IRFR120ZTR Distributor
IRFR120ZTR Datová tabulka
IRFR120ZTR Fotky
IRFR120ZTR Cena
IRFR120ZTR Nabídka
IRFR120ZTR Nejnižší cena
IRFR120ZTR Vyhledávání
IRFR120ZTR Nákup
IRFR120ZTR Chip