Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR120ZPBF
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Číslo dílu
IRFR120ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16156 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR120ZPBF
IRFR120ZPBF Elektronické komponenty
IRFR120ZPBF Odbyt
IRFR120ZPBF Dodavatel
IRFR120ZPBF Distributor
IRFR120ZPBF Datová tabulka
IRFR120ZPBF Fotky
IRFR120ZPBF Cena
IRFR120ZPBF Nabídka
IRFR120ZPBF Nejnižší cena
IRFR120ZPBF Vyhledávání
IRFR120ZPBF Nákup
IRFR120ZPBF Chip