IRFR120NTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Číslo dílu
IRFR120NTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
210 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25608 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR120NTRLPBF
IRFR120NTRLPBF Elektronické komponenty
IRFR120NTRLPBF Odbyt
IRFR120NTRLPBF Dodavatel
IRFR120NTRLPBF Distributor
IRFR120NTRLPBF Datová tabulka
IRFR120NTRLPBF Fotky
IRFR120NTRLPBF Cena
IRFR120NTRLPBF Nabídka
IRFR120NTRLPBF Nejnižší cena
IRFR120NTRLPBF Vyhledávání
IRFR120NTRLPBF Nákup
IRFR120NTRLPBF Chip