Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Číslo dílu
IRFR120NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
210 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12008 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR120NPBF
IRFR120NPBF Elektronické komponenty
IRFR120NPBF Odbyt
IRFR120NPBF Dodavatel
IRFR120NPBF Distributor
IRFR120NPBF Datová tabulka
IRFR120NPBF Fotky
IRFR120NPBF Cena
IRFR120NPBF Nabídka
IRFR120NPBF Nejnižší cena
IRFR120NPBF Vyhledávání
IRFR120NPBF Nákup
IRFR120NPBF Chip