Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR120NCPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Číslo dílu
IRFR120NCPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
210 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31719 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR120NCPBF
IRFR120NCPBF Elektronické komponenty
IRFR120NCPBF Odbyt
IRFR120NCPBF Dodavatel
IRFR120NCPBF Distributor
IRFR120NCPBF Datová tabulka
IRFR120NCPBF Fotky
IRFR120NCPBF Cena
IRFR120NCPBF Nabídka
IRFR120NCPBF Nejnižší cena
IRFR120NCPBF Vyhledávání
IRFR120NCPBF Nákup
IRFR120NCPBF Chip