IRFR1018ETRPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Číslo dílu
IRFR1018ETRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40068 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBF Elektronické komponenty
IRFR1018ETRPBF Odbyt
IRFR1018ETRPBF Dodavatel
IRFR1018ETRPBF Distributor
IRFR1018ETRPBF Datová tabulka
IRFR1018ETRPBF Fotky
IRFR1018ETRPBF Cena
IRFR1018ETRPBF Nabídka
IRFR1018ETRPBF Nejnižší cena
IRFR1018ETRPBF Vyhledávání
IRFR1018ETRPBF Nákup
IRFR1018ETRPBF Chip