Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR1010ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Číslo dílu
IRFR1010ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19879 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR1010ZPBF
IRFR1010ZPBF Elektronické komponenty
IRFR1010ZPBF Odbyt
IRFR1010ZPBF Dodavatel
IRFR1010ZPBF Distributor
IRFR1010ZPBF Datová tabulka
IRFR1010ZPBF Fotky
IRFR1010ZPBF Cena
IRFR1010ZPBF Nabídka
IRFR1010ZPBF Nejnižší cena
IRFR1010ZPBF Vyhledávání
IRFR1010ZPBF Nákup
IRFR1010ZPBF Chip