Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFP7530PBF
MOSFET N CH 60V 195A TO247
Číslo dílu
IRFP7530PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
341W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
411nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13703pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11628 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFP7530PBF
IRFP7530PBF Elektronické komponenty
IRFP7530PBF Odbyt
IRFP7530PBF Dodavatel
IRFP7530PBF Distributor
IRFP7530PBF Datová tabulka
IRFP7530PBF Fotky
IRFP7530PBF Cena
IRFP7530PBF Nabídka
IRFP7530PBF Nejnižší cena
IRFP7530PBF Vyhledávání
IRFP7530PBF Nákup
IRFP7530PBF Chip