Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFP4668PBF
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
Číslo dílu
IRFP4668PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AC
Ztráta energie (max.)
520W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.7 mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
241nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10720pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51909 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFP4668PBF
IRFP4668PBF Elektronické komponenty
IRFP4668PBF Odbyt
IRFP4668PBF Dodavatel
IRFP4668PBF Distributor
IRFP4668PBF Datová tabulka
IRFP4668PBF Fotky
IRFP4668PBF Cena
IRFP4668PBF Nabídka
IRFP4668PBF Nejnižší cena
IRFP4668PBF Vyhledávání
IRFP4668PBF Nákup
IRFP4668PBF Chip