Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFP4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
Číslo dílu
IRFP4227PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AC
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43997 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFP4227PBF
IRFP4227PBF Elektronické komponenty
IRFP4227PBF Odbyt
IRFP4227PBF Dodavatel
IRFP4227PBF Distributor
IRFP4227PBF Datová tabulka
IRFP4227PBF Fotky
IRFP4227PBF Cena
IRFP4227PBF Nabídka
IRFP4227PBF Nejnižší cena
IRFP4227PBF Vyhledávání
IRFP4227PBF Nákup
IRFP4227PBF Chip