Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFP4127PBF
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC
Číslo dílu
IRFP4127PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AC
Ztráta energie (max.)
341W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5380pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10036 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFP4127PBF
IRFP4127PBF Elektronické komponenty
IRFP4127PBF Odbyt
IRFP4127PBF Dodavatel
IRFP4127PBF Distributor
IRFP4127PBF Datová tabulka
IRFP4127PBF Fotky
IRFP4127PBF Cena
IRFP4127PBF Nabídka
IRFP4127PBF Nejnižší cena
IRFP4127PBF Vyhledávání
IRFP4127PBF Nákup
IRFP4127PBF Chip