IRFL4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Číslo dílu
IRFL4105TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12420 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFL4105TRPBF
IRFL4105TRPBF Elektronické komponenty
IRFL4105TRPBF Odbyt
IRFL4105TRPBF Dodavatel
IRFL4105TRPBF Distributor
IRFL4105TRPBF Datová tabulka
IRFL4105TRPBF Fotky
IRFL4105TRPBF Cena
IRFL4105TRPBF Nabídka
IRFL4105TRPBF Nejnižší cena
IRFL4105TRPBF Vyhledávání
IRFL4105TRPBF Nákup
IRFL4105TRPBF Chip