Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFL4105PBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Číslo dílu
IRFL4105PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38449 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFL4105PBF
IRFL4105PBF Elektronické komponenty
IRFL4105PBF Odbyt
IRFL4105PBF Dodavatel
IRFL4105PBF Distributor
IRFL4105PBF Datová tabulka
IRFL4105PBF Fotky
IRFL4105PBF Cena
IRFL4105PBF Nabídka
IRFL4105PBF Nejnižší cena
IRFL4105PBF Vyhledávání
IRFL4105PBF Nákup
IRFL4105PBF Chip