Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFL1006PBF
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Číslo dílu
IRFL1006PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43056 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFL1006PBF
IRFL1006PBF Elektronické komponenty
IRFL1006PBF Odbyt
IRFL1006PBF Dodavatel
IRFL1006PBF Distributor
IRFL1006PBF Datová tabulka
IRFL1006PBF Fotky
IRFL1006PBF Cena
IRFL1006PBF Nabídka
IRFL1006PBF Nejnižší cena
IRFL1006PBF Vyhledávání
IRFL1006PBF Nákup
IRFL1006PBF Chip