Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFI4510GPBF
MOSFET N CH 100V 35A TO220
Číslo dílu
IRFI4510GPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB Full-Pak
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2998pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54225 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFI4510GPBF
IRFI4510GPBF Elektronické komponenty
IRFI4510GPBF Odbyt
IRFI4510GPBF Dodavatel
IRFI4510GPBF Distributor
IRFI4510GPBF Datová tabulka
IRFI4510GPBF Fotky
IRFI4510GPBF Cena
IRFI4510GPBF Nabídka
IRFI4510GPBF Nejnižší cena
IRFI4510GPBF Vyhledávání
IRFI4510GPBF Nákup
IRFI4510GPBF Chip