Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFI4227PBF
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
Číslo dílu
IRFI4227PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB Full-Pak
Ztráta energie (max.)
46W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38197 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFI4227PBF
IRFI4227PBF Elektronické komponenty
IRFI4227PBF Odbyt
IRFI4227PBF Dodavatel
IRFI4227PBF Distributor
IRFI4227PBF Datová tabulka
IRFI4227PBF Fotky
IRFI4227PBF Cena
IRFI4227PBF Nabídka
IRFI4227PBF Nejnižší cena
IRFI4227PBF Vyhledávání
IRFI4227PBF Nákup
IRFI4227PBF Chip