IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Číslo dílu
IRFHS8342TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39083 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHS8342TRPBF
IRFHS8342TRPBF Elektronické komponenty
IRFHS8342TRPBF Odbyt
IRFHS8342TRPBF Dodavatel
IRFHS8342TRPBF Distributor
IRFHS8342TRPBF Datová tabulka
IRFHS8342TRPBF Fotky
IRFHS8342TRPBF Cena
IRFHS8342TRPBF Nabídka
IRFHS8342TRPBF Nejnižší cena
IRFHS8342TRPBF Vyhledávání
IRFHS8342TRPBF Nákup
IRFHS8342TRPBF Chip