Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFHS8242TRPBF
MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Číslo dílu
IRFHS8242TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
6-PQFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.9A (Ta), 21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
653pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20239 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHS8242TRPBF
IRFHS8242TRPBF Elektronické komponenty
IRFHS8242TRPBF Odbyt
IRFHS8242TRPBF Dodavatel
IRFHS8242TRPBF Distributor
IRFHS8242TRPBF Datová tabulka
IRFHS8242TRPBF Fotky
IRFHS8242TRPBF Cena
IRFHS8242TRPBF Nabídka
IRFHS8242TRPBF Nejnižší cena
IRFHS8242TRPBF Vyhledávání
IRFHS8242TRPBF Nákup
IRFHS8242TRPBF Chip