IRFHS8242TR2PBF
MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Číslo dílu
IRFHS8242TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
6-PQFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.9A (Ta), 21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
653pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43446 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHS8242TR2PBF
IRFHS8242TR2PBF Elektronické komponenty
IRFHS8242TR2PBF Odbyt
IRFHS8242TR2PBF Dodavatel
IRFHS8242TR2PBF Distributor
IRFHS8242TR2PBF Datová tabulka
IRFHS8242TR2PBF Fotky
IRFHS8242TR2PBF Cena
IRFHS8242TR2PBF Nabídka
IRFHS8242TR2PBF Nejnižší cena
IRFHS8242TR2PBF Vyhledávání
IRFHS8242TR2PBF Nákup
IRFHS8242TR2PBF Chip