IRFHM8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Číslo dílu
IRFHM8342TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Ztráta energie (max.)
2.6W (Ta), 20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26399 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM8342TRPBF
IRFHM8342TRPBF Elektronické komponenty
IRFHM8342TRPBF Odbyt
IRFHM8342TRPBF Dodavatel
IRFHM8342TRPBF Distributor
IRFHM8342TRPBF Datová tabulka
IRFHM8342TRPBF Fotky
IRFHM8342TRPBF Cena
IRFHM8342TRPBF Nabídka
IRFHM8342TRPBF Nejnižší cena
IRFHM8342TRPBF Vyhledávání
IRFHM8342TRPBF Nákup
IRFHM8342TRPBF Chip