Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFHM8337TRPBF
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Číslo dílu
IRFHM8337TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
755pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10276 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM8337TRPBF
IRFHM8337TRPBF Elektronické komponenty
IRFHM8337TRPBF Odbyt
IRFHM8337TRPBF Dodavatel
IRFHM8337TRPBF Distributor
IRFHM8337TRPBF Datová tabulka
IRFHM8337TRPBF Fotky
IRFHM8337TRPBF Cena
IRFHM8337TRPBF Nabídka
IRFHM8337TRPBF Nejnižší cena
IRFHM8337TRPBF Vyhledávání
IRFHM8337TRPBF Nákup
IRFHM8337TRPBF Chip