Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFHM8329TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
Číslo dílu
IRFHM8329TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.6W (Ta), 33W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta), 57A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43475 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM8329TRPBF
IRFHM8329TRPBF Elektronické komponenty
IRFHM8329TRPBF Odbyt
IRFHM8329TRPBF Dodavatel
IRFHM8329TRPBF Distributor
IRFHM8329TRPBF Datová tabulka
IRFHM8329TRPBF Fotky
IRFHM8329TRPBF Cena
IRFHM8329TRPBF Nabídka
IRFHM8329TRPBF Nejnižší cena
IRFHM8329TRPBF Vyhledávání
IRFHM8329TRPBF Nákup
IRFHM8329TRPBF Chip