IRFHM8326TRPBF
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Číslo dílu
IRFHM8326TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2496pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42034 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM8326TRPBF
IRFHM8326TRPBF Elektronické komponenty
IRFHM8326TRPBF Odbyt
IRFHM8326TRPBF Dodavatel
IRFHM8326TRPBF Distributor
IRFHM8326TRPBF Datová tabulka
IRFHM8326TRPBF Fotky
IRFHM8326TRPBF Cena
IRFHM8326TRPBF Nabídka
IRFHM8326TRPBF Nejnižší cena
IRFHM8326TRPBF Vyhledávání
IRFHM8326TRPBF Nákup
IRFHM8326TRPBF Chip