IRFHM8235TRPBF
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Číslo dílu
IRFHM8235TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1040pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29228 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM8235TRPBF
IRFHM8235TRPBF Elektronické komponenty
IRFHM8235TRPBF Odbyt
IRFHM8235TRPBF Dodavatel
IRFHM8235TRPBF Distributor
IRFHM8235TRPBF Datová tabulka
IRFHM8235TRPBF Fotky
IRFHM8235TRPBF Cena
IRFHM8235TRPBF Nabídka
IRFHM8235TRPBF Nejnižší cena
IRFHM8235TRPBF Vyhledávání
IRFHM8235TRPBF Nákup
IRFHM8235TRPBF Chip