IRFHM4226TRPBF
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Číslo dílu
IRFHM4226TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta), 39W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10983 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM4226TRPBF
IRFHM4226TRPBF Elektronické komponenty
IRFHM4226TRPBF Odbyt
IRFHM4226TRPBF Dodavatel
IRFHM4226TRPBF Distributor
IRFHM4226TRPBF Datová tabulka
IRFHM4226TRPBF Fotky
IRFHM4226TRPBF Cena
IRFHM4226TRPBF Nabídka
IRFHM4226TRPBF Nejnižší cena
IRFHM4226TRPBF Vyhledávání
IRFHM4226TRPBF Nákup
IRFHM4226TRPBF Chip