Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFHM3911TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
Číslo dílu
IRFHM3911TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 29W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Ta), 20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
115 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33693 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM3911TRPBF
IRFHM3911TRPBF Elektronické komponenty
IRFHM3911TRPBF Odbyt
IRFHM3911TRPBF Dodavatel
IRFHM3911TRPBF Distributor
IRFHM3911TRPBF Datová tabulka
IRFHM3911TRPBF Fotky
IRFHM3911TRPBF Cena
IRFHM3911TRPBF Nabídka
IRFHM3911TRPBF Nejnižší cena
IRFHM3911TRPBF Vyhledávání
IRFHM3911TRPBF Nákup
IRFHM3911TRPBF Chip