Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH8337TRPBF
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH8337TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.2W (Ta), 27W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34749 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH8337TRPBF
IRFH8337TRPBF Elektronické komponenty
IRFH8337TRPBF Odbyt
IRFH8337TRPBF Dodavatel
IRFH8337TRPBF Distributor
IRFH8337TRPBF Datová tabulka
IRFH8337TRPBF Fotky
IRFH8337TRPBF Cena
IRFH8337TRPBF Nabídka
IRFH8337TRPBF Nejnižší cena
IRFH8337TRPBF Vyhledávání
IRFH8337TRPBF Nákup
IRFH8337TRPBF Chip