IRFH8318TRPBF
MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH8318TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Ta), 120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3180pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27415 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH8318TRPBF
IRFH8318TRPBF Elektronické komponenty
IRFH8318TRPBF Odbyt
IRFH8318TRPBF Dodavatel
IRFH8318TRPBF Distributor
IRFH8318TRPBF Datová tabulka
IRFH8318TRPBF Fotky
IRFH8318TRPBF Cena
IRFH8318TRPBF Nabídka
IRFH8318TRPBF Nejnižší cena
IRFH8318TRPBF Vyhledávání
IRFH8318TRPBF Nákup
IRFH8318TRPBF Chip