IRFH8311TRPBF
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Číslo dílu
IRFH8311TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 169A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4960pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22093 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH8311TRPBF
IRFH8311TRPBF Elektronické komponenty
IRFH8311TRPBF Odbyt
IRFH8311TRPBF Dodavatel
IRFH8311TRPBF Distributor
IRFH8311TRPBF Datová tabulka
IRFH8311TRPBF Fotky
IRFH8311TRPBF Cena
IRFH8311TRPBF Nabídka
IRFH8311TRPBF Nejnižší cena
IRFH8311TRPBF Vyhledávání
IRFH8311TRPBF Nákup
IRFH8311TRPBF Chip