IRFH8303TRPBF
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
Číslo dílu
IRFH8303TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
43A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
179nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7736pF @ 24V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9750 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH8303TRPBF
IRFH8303TRPBF Elektronické komponenty
IRFH8303TRPBF Odbyt
IRFH8303TRPBF Dodavatel
IRFH8303TRPBF Distributor
IRFH8303TRPBF Datová tabulka
IRFH8303TRPBF Fotky
IRFH8303TRPBF Cena
IRFH8303TRPBF Nabídka
IRFH8303TRPBF Nejnižší cena
IRFH8303TRPBF Vyhledávání
IRFH8303TRPBF Nákup
IRFH8303TRPBF Chip