IRFH8201TRPBF
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Číslo dílu
IRFH8201TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
111nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7330pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21672 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH8201TRPBF
IRFH8201TRPBF Elektronické komponenty
IRFH8201TRPBF Odbyt
IRFH8201TRPBF Dodavatel
IRFH8201TRPBF Distributor
IRFH8201TRPBF Datová tabulka
IRFH8201TRPBF Fotky
IRFH8201TRPBF Cena
IRFH8201TRPBF Nabídka
IRFH8201TRPBF Nejnižší cena
IRFH8201TRPBF Vyhledávání
IRFH8201TRPBF Nákup
IRFH8201TRPBF Chip