IRFH7936TRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Číslo dílu
IRFH7936TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta), 54A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2360pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49891 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH7936TRPBF
IRFH7936TRPBF Elektronické komponenty
IRFH7936TRPBF Odbyt
IRFH7936TRPBF Dodavatel
IRFH7936TRPBF Distributor
IRFH7936TRPBF Datová tabulka
IRFH7936TRPBF Fotky
IRFH7936TRPBF Cena
IRFH7936TRPBF Nabídka
IRFH7936TRPBF Nejnižší cena
IRFH7936TRPBF Vyhledávání
IRFH7936TRPBF Nákup
IRFH7936TRPBF Chip