IRFH7932TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Číslo dílu
IRFH7932TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6) Single Die
Ztráta energie (max.)
3.4W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Ta), 104A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4270pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51226 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH7932TR2PBF
IRFH7932TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH7932TR2PBF Odbyt
IRFH7932TR2PBF Dodavatel
IRFH7932TR2PBF Distributor
IRFH7932TR2PBF Datová tabulka
IRFH7932TR2PBF Fotky
IRFH7932TR2PBF Cena
IRFH7932TR2PBF Nabídka
IRFH7932TR2PBF Nejnižší cena
IRFH7932TR2PBF Vyhledávání
IRFH7932TR2PBF Nákup
IRFH7932TR2PBF Chip