IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN
Číslo dílu
IRFH6200TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10890pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36013 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH6200TRPBF
IRFH6200TRPBF Elektronické komponenty
IRFH6200TRPBF Odbyt
IRFH6200TRPBF Dodavatel
IRFH6200TRPBF Distributor
IRFH6200TRPBF Datová tabulka
IRFH6200TRPBF Fotky
IRFH6200TRPBF Cena
IRFH6200TRPBF Nabídka
IRFH6200TRPBF Nejnižší cena
IRFH6200TRPBF Vyhledávání
IRFH6200TRPBF Nákup
IRFH6200TRPBF Chip